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GT025N06AD5

零件编号 GT025N06AD5
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Goford Semiconductor
描述 MOSFET N-CH 60V 170A DFN5*6-8L
封装
包装 卷带式 (TR)
数量 40000
RoHS 状态 YES
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库存:
总数

数量

价格

总价

5000

$0.6930

$3,465.0000

15000

$0.6405

$9,607.5000

30000

$0.5775

$17,325.0000

50000

$0.5355

$26,775.0000

获取报价信息
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列SGT
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerTDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C170A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs2.2mOhm @ 20A, 10V
功耗(最大)104W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 250µA
供应商设备包8-DFN (4.9x5.75)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds5044 pF @ 30 V

Goford Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 45A DFN5*6-8L
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 170A DFN5*6-8L
Comet America
Intr. safe T+H probe, 4m, 4-20mA
Solid State Inc.
SCR THYRISTOR 25 AMP TO 48
Ampleon
RF MOSFET HEMT 50V CDFM2
AVR Global Technologies, Inc.
F 4 Pin Circular Connector with
Action Pump
LIQUID RATIO MIXER, 0-57%"
Uvex By Honeywell
PURE FLOW 1000 EYEWASH STATION O
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