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2SJ529L06-E

Numéro de pièces 2SJ529L06-E
Classification des produits FET simples, MOSFET
Fabricants Renesas
Décrire 2SJ529L06 - P-CHANNEL POWER MOSF
encapsulé
Emballage En gros
quantité 60244
État de RoHS NO
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TAPERDESCRIPTION
FabricantRenesas
Série-
EmballerEn gros
État du produitOBSOLETE
Colis/CaisseTO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Type de montageThrough Hole
Température de fonctionnement150°C
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETP-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C10A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)20W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id2V @ 1mA
Package d'appareil du fournisseurDPAK(L)-(2)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds580 pF @ 10 V

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
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