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ALD210800PCL

Numéro de pièces ALD210800PCL
Classification des produits Matrices FET, MOSFET
Fabricants Advanced Linear Devices, Inc.
Décrire MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
encapsulé
Emballage Tube
quantité 0
État de RoHS YES
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TAPERDESCRIPTION
FabricantAdvanced Linear Devices, Inc.
SérieEPAD®, Zero Threshold™
EmballerTube
État du produitACTIVE
Colis/Caisse16-DIP (0.300", 7.62mm)
Type de montageThrough Hole
Configuration4 N-Channel, Matched Pair
Température de fonctionnement0°C ~ 70°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max500mW
Tension drain-source (Vdss)10.6V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C80mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds15pF @ 5V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs25Ohm
Fonctionnalité FETLogic Level Gate
Vgs(e) (Max) @ Id20mV @ 10µA
Package d'appareil du fournisseur16-PDIP

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
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