G2K2P10D3E FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：	G2K2P10D3E
Classification des produits：	FET simples, MOSFET
Fabricants：	Goford Semiconductor
Décrire：	MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
encapsulé：
Emballage：	Bande et bobine (TR)
quantité：	4970
État de RoHS：	YES
partage

Numéro de pièces：

G2K2P10D3E

Classification des produits：

FET simples, MOSFET

Fabricants：

Goford Semiconductor

Décrire：

MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-

encapsulé：

Emballage：

Bande et bobine (TR)

quantité：

4970

État de RoHS：

YES

partage

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	8-PowerVDFN
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Type FET	P-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	210mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)	31W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur	8-DFN (3.15x3.05)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1668 pF @ 50 V

Modèles alternatifs

                                          G2K2P10D3E                                        

                                          谷峰-GOFORD                                        

                                        Trench Mosfet                                      