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G30N02T

Numéro de pièces G30N02T
Classification des produits FET simples, MOSFET
Fabricants Goford Semiconductor
Décrire MOSFET N-CH 20V 30A TO-220
encapsulé
Emballage Tube
quantité 5000
État de RoHS NO
partage
Les stocks:
Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

2000

$0.2205

$441.0000

6000

$0.2100

$1,260.0000

16000

$0.1995

$3,192.0000

30000

$0.1785

$5,355.0000

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TAPERDESCRIPTION
FabricantGoford Semiconductor
SérieTrenchFET®
EmballerTube
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-220-3
Type de montageThrough Hole
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C30A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 20A, 4.5V
Dissipation de puissance (maximum)40W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurTO-220
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Vgs (Max)±12V

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
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