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GC11N65M

Numéro de pièces GC11N65M
Classification des produits FET simples, MOSFET
Fabricants Goford Semiconductor
Décrire MOSFET N-CH 650V 11A TO-263
encapsulé
Emballage Bande et bobine (TR)
quantité 4000
État de RoHS YES
partage
Les stocks:
Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

1600

$0.8715

$1,394.4000

8000

$0.8295

$6,636.0000

16000

$0.7980

$12,768.0000

32000

$0.7245

$23,184.0000

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TAPERDESCRIPTION
FabricantGoford Semiconductor
SérieCool MOS™
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C11A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)78W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurTO-263
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±30V

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
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