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IXYN100N65B3D1

Numéro de pièces IXYN100N65B3D1
Classification des produits Modules IGBT
Fabricants Littelfuse / IXYS RF
Décrire DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227UI(MI
encapsulé
Emballage Tube
quantité 0
État de RoHS YES
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Produits Paramètres
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TAPERDESCRIPTION
FabricantLittelfuse / IXYS RF
SérieXPT™, GenX3™
EmballerTube
État du produitOBSOLETE
Colis/CaisseSOT-227-4, miniBLOC
Type de montageChassis Mount
SaisirStandard
ConfigurationSingle
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 70A
Thermistance CTNNo
Package d'appareil du fournisseurSOT-227B
Type IGBTPT
Courant - Collecteur (Ic) (Max)185 A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)650 V
Puissance - Max600 W
Courant - Coupure du collecteur (Max)50 µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce4.74 nF @ 25 V

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
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