SCT012H90G3AG FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：	SCT012H90G3AG
Classification des produits：	FET simples, MOSFET
Fabricants：	STMicroelectronics
Décrire：	H2PAK-7
encapsulé：
Emballage：	Bande et bobine (TR)
quantité：	0
État de RoHS：	YES
partage

Numéro de pièces：

SCT012H90G3AG

Classification des produits：

FET simples, MOSFET

Fabricants：

STMicroelectronics

Décrire：

H2PAK-7

encapsulé：

Emballage：

Bande et bobine (TR)

quantité：

État de RoHS：

YES

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Produits Paramètres

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	110A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	15.8mOhm @ 60A, 18V
Dissipation de puissance (maximum)	625W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	4.2V @ 10mA
Package d'appareil du fournisseur	H2PAK-7
Grade	Automotive
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Vgs (Max)	+18V, -5V
Tension drain-source (Vdss)	900 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	138 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3880 pF @ 600 V
Qualification	AEC-Q101

Modèles alternatifs

                                          SCT012H90G3AG                                        

                                          意法-ST                                        

                                        Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package                                      