SCT055W65G3-4AG FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：	SCT055W65G3-4AG
Classification des produits：	FET simples, MOSFET
Fabricants：	STMicroelectronics
Décrire：	TO247-4
encapsulé：
Emballage：	Tube
quantité：	0
État de RoHS：	YES
partage

Numéro de pièces：

SCT055W65G3-4AG

Classification des produits：

FET simples, MOSFET

Fabricants：

STMicroelectronics

Décrire：

TO247-4

encapsulé：

Emballage：

Tube

quantité：

État de RoHS：

YES

partage

Produits Paramètres

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Emballer	Tube
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-247-4
Type de montage	Through Hole
Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	30A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	72mOhm @ 15A, 18V
Dissipation de puissance (maximum)	210W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	4.2V @ 1mA
Package d'appareil du fournisseur	TO-247-4
Grade	Automotive
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Vgs (Max)	+18V, -5V
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	721 pF @ 40 V
Qualification	AEC-Q101

Modèles alternatifs

                                          SCT055W65G3-4AG                                        

                                          意法-ST                                        

                                        Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package                                      