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SG-E-1-G-A-6-A

Numéro de pièces： SG-E-1-G-A-6-A
Classification des produits： Commutateurs de navigation, joystick
Fabricants： Ruffy Controls
Décrire： SWITCH JOYSTICK PADDLE HALL 5V
encapsulé：
Emballage： En gros
quantité： 21
État de RoHS： YES
partage
Les stocks:
Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

1

$376.3725

$376.3725

10

$285.9465

$2,859.4650

25

$271.4250

$6,785.6250

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TAPERDESCRIPTION
FabricantRuffy Controls
SérieSG
EmballerEn gros
État du produitACTIVE
Type de montagePanel Mount
SortirAnalog (Hall Effect)
TaperJoystick, 2 - Axis
Fonction de commutation4-Way Directional
Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C
Style de terminaisonCable with Connector
Tension - Alimentation5VDC
Type d'actionneurPaddle
Protection contre la pénétrationIP67 - Dust Tight, Waterproof
Dimensions de découpe du panneauCircular - 57.15mm Dia
Tension nominale - CC5 V
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V30120SG-E3/ VF30120SG-E3/ VB30120SG-E3/ VI30120SG-E3
威世-Vishay
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VF20120SG-E3
威世-Vishay
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
V20120SG-E3/VF20120SG-E3/VB20120SG-E3/VI20120SG-E3
威世-Vishay
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
V30100SG-E3/VF30100SG-E3/VB30100SG-E3/VI30100SG-E3
威世-Vishay
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A
VB30120SG-E3
威世-Vishay
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VI20150SG-E3
威世-Vishay
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V30120SG-E3/VF30120SG-E3/VB30120SG-E3/VI30120SG-E3
威世-Vishay
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V20150SG-E3/VF20150SG-E3/VB20150SG-E3/VI20150SG-E3
威世-Vishay
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VI30120SG-E3
威世-Vishay
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VF20150SG-E3
威世-Vishay
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VB30100SG-E3
威世-Vishay
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A
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威世-Vishay
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
VF30120SG-E3
威世-Vishay
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
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High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
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威世-Vishay
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A
VI30100SG-E3
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High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A
V20150SG-E3
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High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
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High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
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MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
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