EPC2045 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：	EPC2045
Classification des produits：	FET simples, MOSFET
Fabricants：	EPC
Décrire：	GANFET N-CH 100V 16A DIE
encapsulé：
Emballage：	Bande et bobine (TR)
quantité：	35335
État de RoHS：	YES
partage

Numéro de pièces：

EPC2045

Classification des produits：

FET simples, MOSFET

Fabricants：

EPC

Décrire：

GANFET N-CH 100V 16A DIE

encapsulé：

Emballage：

Bande et bobine (TR)

quantité：

35335

État de RoHS：

YES

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Produits Paramètres

PDF(1)

PDF(2)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	EPC
Série	eGaN®
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	NOT_FOR_NEW_DESIGNS
Colis/Caisse	Die
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	16A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id	2.5V @ 5mA
Package d'appareil du fournisseur	Die
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	+6V, -4V
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	6.5 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	685 pF @ 50 V

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