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quantité
prix
Le prix total
1
$1.7850
$1.7850
10
$1.4805
$14.8050
100
$1.1760
$117.6000
500
$0.9975
$498.7500
1000
$0.8505
$850.5000
2500
$0.9345
$2,336.2500
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | EPC |
| Série | eGaN® |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | Die |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 3A (Ta) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 1A, 5V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Package d'appareil du fournisseur | Die |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Tension drain-source (Vdss) | 200 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 573 pF @ 100 V |
