EPC2207 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：	EPC2207
Classification des produits：	FET simples, MOSFET
Fabricants：	EPC
Décrire：	TRANS GAN 200V DIE .022OHM
encapsulé：
Emballage：	Bande et bobine (TR)
quantité：	29056
État de RoHS：	YES
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Produits Paramètres

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TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	EPC
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	Die
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	14A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id	2.5V @ 2mA
Package d'appareil du fournisseur	Die
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	+6V, -4V
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	5.9 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	600 pF @ 100 V

Modèles alternatifs

                                          EPC2207                                        

                                          宜普-EPC                                        

                                        200 V, 54 A增强型功率晶体管                                      