EPC2212 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：	EPC2212
Classification des produits：	FET simples, MOSFET
Fabricants：	EPC
Décrire：	GANFET N-CH 100V 18A DIE
encapsulé：
Emballage：	Bande et bobine (TR)
quantité：	153697
État de RoHS：	YES
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Produits Paramètres

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TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	EPC
Série	eGaN®
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	NOT_FOR_NEW_DESIGNS
Colis/Caisse	Die
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	18A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id	2.5V @ 3mA
Package d'appareil du fournisseur	Die
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	+6V, -4V
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	4 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	407 pF @ 50 V

Modèles alternatifs

                                          EPC2212                                        

                                          宜普-EPC                                        

                                        面向车载应用的100 V、75 A增强型氮化镓功率晶体管                                      

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