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FMM6G30US60

Numéro de pièces FMM6G30US60
Classification des produits Modules IGBT
Fabricants Fairchild Semiconductor
Décrire INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
encapsulé
Emballage En gros
quantité 34
État de RoHS NO
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FabricantFairchild Semiconductor
Série-
EmballerEn gros
État du produitOBSOLETE
Colis/CaisseModule
Type de montageThrough Hole
SaisirThree Phase Bridge Rectifier
ConfigurationThree Phase Inverter with Brake
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 30A
Thermistance CTNYes
Courant - Collecteur (Ic) (Max)30 A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)600 V
Puissance - Max104 W
Courant - Coupure du collecteur (Max)250 µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce2.1 nF @ 30 V

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
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