86-13826519287‬
取消

FS50R07N2E4BOSA1

Numéro de pièces FS50R07N2E4BOSA1
Classification des produits Modules IGBT
Fabricants IR (Infineon Technologies)
Décrire IGBT MODULE 650V 70A 190W
encapsulé
Emballage Plateau
quantité 280
État de RoHS NO
partage
Les stocks:
Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

40

$16.1175

$644.7000

Obtenir des informations sur les offres
Produits Paramètres
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantIR (Infineon Technologies)
SérieEconoPACK™ 2
EmballerPlateau
État du produitOBSOLETE
Colis/CaisseModule
Type de montageChassis Mount
SaisirStandard
ConfigurationFull Bridge Inverter
Température de fonctionnement-40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 50A
Thermistance CTNYes
Package d'appareil du fournisseurModule
Courant - Collecteur (Ic) (Max)70 A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)650 V
Puissance - Max190 W
Courant - Coupure du collecteur (Max)1 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce3.1 nF @ 25 V
Modèles similaires
FS50R07N2E4
英飞凌-Infineon
IGBT模块
FS50R07N2E4_B11
英飞凌-Infineon
IGBT模块

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
关闭
Inquiry
captcha

86-13826519287‬
0