G3R160MT17J FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：	G3R160MT17J
Classification des produits：	FET simples, MOSFET
Fabricants：	GeneSiC Semiconductor
Décrire：	SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
encapsulé：
Emballage：	Tube
quantité：	0
État de RoHS：	YES
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Numéro de pièces：

G3R160MT17J

Classification des produits：

FET simples, MOSFET

Fabricants：

GeneSiC Semiconductor

Décrire：

SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7

encapsulé：

Emballage：

Tube

quantité：

État de RoHS：

YES

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Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Série	G3R™, LoRing™
Emballer	Tube
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	18A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	224mOhm @ 10A, 15V
Dissipation de puissance (maximum)	187W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	2.7V @ 5mA
Package d'appareil du fournisseur	TO-263-7
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Vgs (Max)	±15V
Tension drain-source (Vdss)	1700 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	854 pF @ 1000 V

Modèles alternatifs

                                          G3R160MT17J                                        

                                          基因碳化硅-GeneSiC                                        

                                        SiC MOSFET                                      