86-13826519287‬
取消

G3R60MT07J-TR

Numéro de pièces G3R60MT07J-TR
Classification des produits FET simples, MOSFET
Fabricants GeneSiC Semiconductor
Décrire 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
encapsulé
Emballage Bande et bobine (TR)
quantité 800
État de RoHS YES
partage
Les stocks:
Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

1

$11.2350

$11.2350

10

$10.2060

$102.0600

25

$9.8280

$245.7000

100

$9.2715

$927.1500

250

$8.9250

$2,231.2500

800

$8.6730

$6,938.4000

Obtenir des informations sur les offres
Produits Paramètres
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantGeneSiC Semiconductor
SérieG3R™, LoRing™
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
TechnologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C44A (Tc)
Dissipation de puissance (maximum)182W (Tc)
Package d'appareil du fournisseurTO-263-7
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)15V
Tension drain-source (Vdss)750 V

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
关闭
Inquiry
captcha

86-13826519287‬
0