G3R75MT12K FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：	G3R75MT12K
Classification des produits：	FET simples, MOSFET
Fabricants：	GeneSiC Semiconductor
Décrire：	SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
encapsulé：
Emballage：	Tube
quantité：	706
État de RoHS：	YES
partage

Numéro de pièces：

G3R75MT12K

Classification des produits：

FET simples, MOSFET

Fabricants：

GeneSiC Semiconductor

Décrire：

SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4

encapsulé：

Emballage：

Tube

quantité：

706

État de RoHS：

YES

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Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Série	G3R™
Emballer	Tube
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	TO-247-4
Type de montage	Through Hole
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	41A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 20A, 15V
Dissipation de puissance (maximum)	207W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	2.69V @ 7.5mA
Package d'appareil du fournisseur	TO-247-4
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	54 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1560 pF @ 800 V

Modèles alternatifs

                                          G3R75MT12K                                        

                                          基因碳化硅-GeneSiC                                        

                                        SiC MOSFET                                      