GCMS040B120S1-E1 FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：	GCMS040B120S1-E1
Classification des produits：	FET simples, MOSFET
Fabricants：	SemiQ
Décrire：	SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
encapsulé：
Emballage：	Tube
quantité：	88
État de RoHS：	YES
partage

Numéro de pièces：

GCMS040B120S1-E1

Classification des produits：

FET simples, MOSFET

Fabricants：

SemiQ

Décrire：

SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S

encapsulé：

Emballage：

Tube

quantité：

État de RoHS：

YES

partage

Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	SemiQ
Série	-
Emballer	Tube
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	SOT-227-4, miniBLOC
Type de montage	Chassis Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	57A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 40A, 20V
Dissipation de puissance (maximum)	242W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id	4V @ 10mA
Package d'appareil du fournisseur	SOT-227
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	124 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3110 pF @ 1000 V

Modèles alternatifs

                                          GCMS040B120S1-E1                                        

                                          SemiQ                                        

                                        1200V | 40mΩ SiC MOSFET and 10A SBD Copack in SOT-227                                      