GPI65015DFN FET simples, MOSFET

Numéro de pièces：	GPI65015DFN
Classification des produits：	FET simples, MOSFET
Fabricants：	GaNPower
Décrire：	GANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8
encapsulé：
Emballage：	Bande et bobine (TR)
quantité：	180
État de RoHS：	NO
partage

Numéro de pièces：

GPI65015DFN

Classification des produits：

FET simples, MOSFET

Fabricants：

GaNPower

Décrire：

GANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8

encapsulé：

Emballage：

Bande et bobine (TR)

quantité：

180

État de RoHS：

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Produits Paramètres

PDF(1)

TAPER	DESCRIPTION
Fabricant	GaNPower
Série	-
Emballer	Bande et bobine (TR)
État du produit	ACTIVE
Colis/Caisse	Die
Type de montage	Surface Mount
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Type FET	N-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	15A
Vgs(e) (Max) @ Id	1.2V @ 3.5mA
Package d'appareil du fournisseur	Die
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6V
Vgs (Max)	+7.5V, -12V
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	3.3 nC @ 6 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	116 pF @ 400 V

Modèles alternatifs

                                          GPI65015DFN                                        

                                          量芯微-GaNPower                                        

                                        N-channel 650V 15A GaN Power HEMT in 8X8 DFN package                                      

                                          GPI65015DFNL                                        

                                          量芯微-GaNPower                                        

                                        N-channel 650V15A GaN Power HEMT in 8X8 DFN package                                      