86-13826519287‬
取消

NDSH40120C-F155

Numéro de pièces NDSH40120C-F155
Classification des produits Diodes simples
Fabricants Sanyo Semiconductor/onsemi
Décrire SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
encapsulé
Emballage Tube
quantité 0
État de RoHS YES
partage
Les stocks:
Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

450

$9.7020

$4,365.9000

Obtenir des informations sur les offres
Produits Paramètres
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantSanyo Semiconductor/onsemi
Série-
EmballerTube
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-247-2
Type de montageThrough Hole
VitesseNo Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inversée (trr)0 ns
TechnologieSiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacité @ Vr, F2840pF @ 1V, 100kHz
Courant - Moyenne redressée (Io)46A
Package d'appareil du fournisseurTO-247-2
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 175°C
Tension - CC inverse (Vr) (Max)1200 V
Tension - Direct (Vf) (Max) @ If1.75 V @ 40 A
Courant - Fuite inverse @ Vr200 µA @ 1200 V

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
关闭
Inquiry
captcha

86-13826519287‬
0