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T1180P6-SD-F

Numéro de pièces T1180P6-SD-F
Classification des produits Photodiodes
Fabricants Vishay
Décrire SENSOR PHOTODIODE 810NM DIE
encapsulé
Emballage Plateau
quantité 100
État de RoHS YES
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100

$12.6000

$1,260.0000

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TAPERDESCRIPTION
FabricantVishay
SérieT1180P6
EmballerPlateau
État du produitACTIVE
Colis/CaisseDie
Longueur d'onde810nm
Type de montageSurface Mount
Type de diodePIN
Température de fonctionnement-40°C ~ 100°C (TA)
Angle de vue120°
Gamme spectrale590nm ~ 1010nm
Zone active0.055mm²
Actuel - Sombre (Type)1nA
Tension - CC inverse (Vr) (Max)60 V

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
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