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TP65H050G4YS

Numéro de pièces TP65H050G4YS
Classification des produits FET simples, MOSFET
Fabricants Transphorm
Décrire 650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
encapsulé
Emballage Tube
quantité 402
État de RoHS YES
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prix

Le prix total

1

$15.0780

$15.0780

10

$13.2825

$132.8250

450

$10.4055

$4,682.4750

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TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
SérieSuperGaN®
EmballerTube
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-247-4
Type de montageThrough Hole
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C35A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 22A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)132W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4.8V @ 700µA
Package d'appareil du fournisseurTO-247-4L
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1000 pF @ 400 V

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
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