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TP65H070G4QS-TR

Numéro de pièces TP65H070G4QS-TR
Classification des produits FET simples, MOSFET
Fabricants Transphorm
Décrire 650 V 29 A GAN FET
encapsulé
Emballage Bande et bobine (TR)
quantité 0
État de RoHS YES
partage
Les stocks:
Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

1

$9.0405

$9.0405

10

$7.7490

$77.4900

100

$6.4575

$645.7500

500

$5.6910

$2,845.5000

1000

$5.1240

$5,124.0000

2000

$4.7985

$9,597.0000

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TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-PowerSFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C29A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 16A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)96W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4.8V @ 700µA
Package d'appareil du fournisseurTOLL
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs8.4 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 400 V

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
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