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TP65H070LSG

Numéro de pièces TP65H070LSG
Classification des produits FET simples, MOSFET
Fabricants Transphorm
Décrire GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
encapsulé
Emballage Tube
quantité 0
État de RoHS NO
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Produits Paramètres
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TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
SérieTP65H070L
EmballerTube
État du produitDISCONTINUED
Colis/Caisse3-PowerDFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C25A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 16A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)96W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4.8V @ 700µA
Package d'appareil du fournisseur3-PQFN (8x8)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs9.3 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 400 V

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
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