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TP65H150G4LSG-TR

Numéro de pièces TP65H150G4LSG-TR
Classification des produits FET simples, MOSFET
Fabricants Transphorm
Décrire 650 V 13 A GAN FET
encapsulé
Emballage Bande et bobine (TR)
quantité 5887
État de RoHS YES
partage
Les stocks:
Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

1

$5.0610

$5.0610

10

$4.2525

$42.5250

100

$3.4335

$343.3500

500

$3.0555

$1,527.7500

1000

$2.6145

$2,614.5000

3000

$2.4675

$7,402.5000

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TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse3-PowerTDFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C13A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)52W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4.8V @ 500µA
Package d'appareil du fournisseur3-PQFN (8x8)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds598 pF @ 400 V

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
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