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TP90H050WS

Numéro de pièces TP90H050WS
Classification des produits FET simples, MOSFET
Fabricants Transphorm
Décrire GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
encapsulé
Emballage Tube
quantité 107
État de RoHS NO
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TAPERDESCRIPTION
FabricantTransphorm
Série-
EmballerTube
État du produitOBSOLETE
Colis/CaisseTO-247-3
Type de montageThrough Hole
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C
TechnologieGaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C34A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs63mOhm @ 22A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)119W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4.4V @ 700µA
Package d'appareil du fournisseurTO-247-3
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)900 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs17.5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds980 pF @ 600 V

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
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