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A5G21H605W19NR3

部品ナンバー A5G21H605W19NR3
製品カテゴリ RF FET、MOSFET
メーカー NXP Semiconductors
説明 RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
パッケージ
包装する テープ&リール(TR)
数量 0
RoHS状態 NO
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製品パラメータ
PDF(1)
タイプ説明
製造元NXP Semiconductors
シリーズ-
パッケージテープ&リール(TR)
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケースOM-780-4S4S
取付タイプSurface Mount
頻度2.11GHz ~ 2.2GHz
電力出力85W
15.1dB
テクノロジーGaN
サプライヤーデバイスパッケージOM-780-4S4S
電圧 - 定格125 V
電圧 - テスト48 V
電流 - テスト300 mA
類似モデル
A5G21H605W19N
恩智浦-NXP
2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V Airfast® RF Power GaN Transistor

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
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