数量
価格
総額
1
$4.7775
$4.7775
10
$4.0110
$40.1100
100
$3.2445
$324.4500
500
$2.8875
$1,443.7500
1000
$2.4675
$2,467.5000
2000
$2.3205
$4,641.0000
5000
$2.2365
$11,182.5000
タイプ | 説明 |
製造元 | Cambridge GaN Devices |
シリーズ | ICeGaN™ |
パッケージ | テープ&リール(TR) |
製品の状態 | ACTIVE |
パッケージ・ケース | 8-PowerVDFN |
取付タイプ | Surface Mount |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 8.5A (Tc) |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 280mOhm @ 600mA, 12V |
FETの特徴 | Current Sensing |
Vgs(th) (最大) @ ID | 4.2V @ 2.75mA |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-DFN (5x6) |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 9V, 20V |
Vgs (最大) | +20V, -1V |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 1.4 nC @ 12 V |