G2K2P10D3E シングルFET、MOSFET

部品ナンバー：	G2K2P10D3E
製品カテゴリ：	シングルFET、MOSFET
メーカー：	Goford Semiconductor
説明：	MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
パッケージ：
包装する：	テープ＆リール（TR）
数量：	4970
RoHS状態：	YES
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部品ナンバー：

G2K2P10D3E

製品カテゴリ：

シングルFET、MOSFET

メーカー：

Goford Semiconductor

説明：

MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-

パッケージ：

包装する：

テープ＆リール（TR）

数量：

4970

RoHS状態：

YES

製品パラメータ

PDF(1)

タイプ	説明
製造元	Goford Semiconductor
シリーズ	-
パッケージ	テープ＆リール（TR）
製品の状態	ACTIVE
パッケージ・ケース	8-PowerVDFN
取付タイプ	Surface Mount
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
FETタイプ	P-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	210mOhm @ 6A, 10V
消費電力(最大)	31W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ	8-DFN (3.15x3.05)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Vgs (最大)	±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	33 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1668 pF @ 50 V

代替モデル

                                          G2K2P10D3E                                        

                                          谷峰-GOFORD                                        

                                        Trench Mosfet                                      