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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | GeneSiC Semiconductor |
| シリーズ | - |
| パッケージ | チューブ |
| 製品の状態 | OBSOLETE |
| パッケージ・ケース | TO-220-2 |
| 取付タイプ | Through Hole |
| スピード | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr) | 0 ns |
| テクノロジー | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| 静電容量 @ Vr、F | 520pF @ 1V, 1MHz |
| 電流 - 平均整流 (Io) | 10A |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220-2 |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大) | 1200 V |
| 電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If | 1.8 V @ 10 A |
| 電流 - 逆漏れ電流 @ Vr | 40 µA @ 1200 V |
