数量
価格
総額
1
$4.2000
$4.2000
タイプ | 説明 |
製造元 | GaNPower |
シリーズ | - |
パッケージ | テープ&リール(TR) |
製品の状態 | ACTIVE |
パッケージ・ケース | Die |
取付タイプ | Surface Mount |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) |
FETタイプ | N-Channel |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 8A |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1.4V @ 3.5mA |
サプライヤーデバイスパッケージ | Die |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V |
Vgs (最大) | +7.5V, -12V |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 2.1 nC @ 6 V |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 63 pF @ 400 V |