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数量
価格
総額
1
$1.8480
$1.8480
10
$1.5330
$15.3300
100
$1.2180
$121.8000
500
$1.0290
$514.5000
1000
$0.8715
$871.5000
2000
$0.8295
$1,659.0000
5000
$0.7980
$3,990.0000
10000
$0.7770
$7,770.0000
| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Goford Semiconductor |
| シリーズ | - |
| パッケージ | チューブ |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | TO-220-3 |
| 取付タイプ | Through Hole |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 150A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4.8mOhm @ 20A, 10V |
| 消費電力(最大) | 156W (Tc) |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220 |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4198 pF @ 50 V |
