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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Sanyo Semiconductor/onsemi |
| シリーズ | - |
| パッケージ | バルク |
| 製品の状態 | OBSOLETE |
| パッケージ・ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電圧 - 絶縁破壊 (V(BR)GSS) | 40 V |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92-3 |
| パワー - 最大 | 625 mW |
| 電圧 - カットオフ (VGS オフ) @ ID | 300 mV @ 10 nA |
| 電流 - ドレイン (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 200 µA @ 20 V |
