SCT012H90G3AG シングルFET、MOSFET

部品ナンバー：	SCT012H90G3AG
製品カテゴリ：	シングルFET、MOSFET
メーカー：	STMicroelectronics
説明：	H2PAK-7
パッケージ：
包装する：	テープ＆リール（TR）
数量：	0
RoHS状態：	YES
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製品パラメータ

タイプ	説明
製造元	STMicroelectronics
シリーズ	-
パッケージ	テープ＆リール（TR）
製品の状態	ACTIVE
パッケージ・ケース	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
取付タイプ	Surface Mount
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
テクノロジー	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FETタイプ	N-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	110A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	15.8mOhm @ 60A, 18V
消費電力(最大)	625W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID	4.2V @ 10mA
サプライヤーデバイスパッケージ	H2PAK-7
学年	Automotive
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	15V, 18V
Vgs (最大)	+18V, -5V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	900 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	138 nC @ 18 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	3880 pF @ 600 V
資格	AEC-Q101

代替モデル

                                          SCT012H90G3AG                                        

                                          意法-ST                                        

                                        Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package                                      