ТИП | ОПИСАНИЕ |
Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ряд | - |
Упаковка | Масса |
Статус продукта | OBSOLETE |
Пакет/кейс | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Тип монтажа | Through Hole |
Тип транзистора | NPN |
Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
Пакет устройств поставщика | TO-92MOD |
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 2 A |
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 120 V |
Мощность - Макс. | 900 mW |