86-13826519287‬
取消

BY25Q128ASSJG(R)

Номер запчастей BY25Q128ASSJG(R)
Классификация продукции Память
Производитель BYTe Semiconductor
Описание 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Упаковка
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество 0
Состояние RoHS YES
Поделиться
Запасы:
Общее число

Количество

Цены

Общая цена

4000

$0.8610

$3,444.0000

6000

$0.8190

$4,914.0000

10000

$0.7875

$7,875.0000

Получить информацию о предложении
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти128Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 105°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота108 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-SOP
Время цикла записи — Word, Page50µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O
Время доступа7 ns
Организация памяти16M x 8
Похожие модели 
BY25Q128AS
博雅-Boyamicro
SPI NOR Flash

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
关闭
Inquiry
captcha

86-13826519287‬
0