86-13826519287‬
取消

VS-GT100TS065N

Номер запчастей VS-GT100TS065N
Классификация продукции БТИЗ-модули
Производитель Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Описание MODULES IGBT - IAP IGBT
Упаковка
Упаковка Коробка
Количество 12
Состояние RoHS YES
Поделиться
Запасы:
Общее число

Количество

Цены

Общая цена

1

$75.5790

$75.5790

15

$68.4915

$1,027.3725

105

$61.4040

$6,447.4200

Получить информацию о предложении
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительVishay General Semiconductor – Diodes Division
Ряд-
УпаковкаКоробка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсModule
Тип монтажаChassis Mount
ВходStandard
КонфигурацияHalf Bridge Inverter
Рабочая Температура-40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 100A
НТЦ-термисторNo
Пакет устройств поставщикаINT-A-PAK IGBT
Тип БТИЗTrench Field Stop
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)96 A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)650 V
Мощность - Макс.259 W
Ток-отсечка коллектора (макс.)50 µA

Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 24.5760MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 125.0000MHZ LVPECL
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSCILLATOR, ULTRA LOW POWER
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 133.3330MHZ CMOS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC XO 175.0000MHZ LVDS SMD
Roving Networks (Microchip Technology)
MEMS OSC LOW JITTER 125MHZ LVDS
关闭
Inquiry
captcha

86-13826519287‬
0