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ALD1101PAL

零件编号 ALD1101PAL
产品分类 FET、MOSFET 阵列
制造商 Advanced Linear Devices, Inc.
描述 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
封装
包装 管子
数量 85
RoHS 状态 YES
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库存:
总数

数量

价格

总价

1

$8.6625

$8.6625

50

$6.9090

$345.4500

100

$6.1845

$618.4500

500

$5.4600

$2,730.0000

1000

$4.9140

$4,914.0000

2000

$4.5990

$9,198.0000

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Advanced Linear Devices, Inc.
系列-
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
安装类型Through Hole
配置2 N-Channel (Dual) Matched Pair
工作温度0°C ~ 70°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大500mW
漏源电压 (Vdss)10.6V
Rds On(最大)@Id、Vgs75Ohm @ 5V
Vgs(th)(最大值)@Id1V @ 10µA
供应商设备包8-PDIP

Tai-Saw Technology TST
50/10/12/3.2X2.5
Sanyo Semiconductor/onsemi
PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
ROHM Semiconductor
IGBT TRNCH FIELD 650V 35A TO3PFM
STMicroelectronics
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
Harris Corporation
34A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Fairchild Semiconductor
IGBT, 300A, 600V, N-CHANNEL
ROHM Semiconductor
IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
STMicroelectronics
IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3
IR (Infineon Technologies)
IGBT MODULE 1700V 1200A
Littelfuse / IXYS RF
IGBT 1700V 36A TO247
关闭
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