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ALD114904SAL

零件编号 ALD114904SAL
产品分类 FET、MOSFET 阵列
制造商 Advanced Linear Devices, Inc.
描述 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
封装
包装 管子
数量 17
RoHS 状态 YES
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库存:
总数

数量

价格

总价

1

$5.3970

$5.3970

50

$4.2735

$213.6750

100

$3.6645

$366.4500

500

$3.2550

$1,627.5000

1000

$2.7930

$2,793.0000

2000

$2.6250

$5,250.0000

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产品参数
PDF(1)
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类型描述
制造商Advanced Linear Devices, Inc.
系列EPAD®
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装类型Surface Mount
配置2 N-Channel (Dual) Matched Pair
工作温度0°C ~ 70°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大500mW
漏源电压 (Vdss)10.6V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C12mA, 3mA
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2.5pF @ 5V
Rds On(最大)@Id、Vgs500Ohm @ 3.6V
场效应管特性Depletion Mode
Vgs(th)(最大值)@Id360mV @ 1µA
供应商设备包8-SOIC

II-VI (Coherent)
XCVR,QSFP28, 10KM,100GBASE-LR4,4
IR (Infineon Technologies)
IGBT TRENCH FS 1200V 212A TO247
IR (Infineon Technologies)
IGBT TRENCH FS 650V 76A TO247-3
IR (Infineon Technologies)
IGBT MOD 1700V 1500A AGPRIME3+-5
NTE Electronics, Inc
MOSFET 2N-CH 900V 7A TO220
ROHM Semiconductor
IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
STMicroelectronics
IR (Infineon Technologies)
IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
IR (Infineon Technologies)
IGBT MOD 600V 500A 1250W
IR (Infineon Technologies)
IGBT MODULE 1200V 1050W
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