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数量
价格
总价
4800
$1.3125
$6,300.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | IR (Infineon Technologies) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | DirectFET™ Isometric MN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 90A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 2.8mOhm @ 30A, 10V |
| 功耗（最大） | 2.2W (Ta), 78W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4V @ 102µA |
| 供应商设备包 | MG-WDSON-5-3 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 60 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 143 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 12000 pF @ 30 V |
