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D175K2K5E

零件编号 D175K2K5E
产品分类 可调功率电阻
制造商 Ohmite
描述 ADJ PWR RES 2.5K OHM 175W CHAS
封装
包装 盒子
数量 0
RoHS 状态 YES
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10

$33.0855

$330.8550

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产品参数
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类型描述
制造商Ohmite
系列Dividohm®210
包装盒子
产品状态ACTIVE
宽容±10%
包装/箱Radial, 3 Lead, Tubular
调整类型Slide
安装类型Chassis Mount
直径1.125" OD, 0.750" ID (28.58mm x 19.05mm)
长度8.500" (215.90mm)
终止Solder Lug
反抗2.5 kOhms
功率(瓦)175 W
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德州仪器-TI
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17506Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17581Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17578Q3A
德州仪器-TI
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17553Q5A
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CSD17555Q5A
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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17576Q5B
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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.92mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD17522Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17578Q5A
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
PMGD175XNE
安世-Nexperia
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