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FBG10N30BSH

零件编号 FBG10N30BSH
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 EPC Space
描述 GAN FET HEMT 100V 30A 4FSMD-B
封装
包装 大部分
数量 40
RoHS 状态 NO
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总价

1

$412.3875

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10

$396.8895

$3,968.8950

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产品参数
类型描述
制造商EPC Space
系列eGaN®
包装大部分
产品状态ACTIVE
包装/箱4-SMD, No Lead
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C30A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs12mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 5mA
供应商设备包4-SMD
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)5V
Vgs(最大)+6V, -4V
漏源电压 (Vdss)100 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs11 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1000 pF @ 50 V

RESI
RES 680M OHM 1% 12W AXIAL
Qualcomm
QCN-9160-1-PSP229-TR-01-0
Riedon
RES CHAS MNT 10 OHM 5% 500W
Techspray
CUTTER SHEARS TPRD SHEAR 5.69"
Amstat Industries
Anti Static Brush with Ionizing
EPC Space
GAN FET HEMT 100V 30A 4FSMD-B
Formosa Microsemi Co., Ltd.
TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AA
Gotyger
GoTyger 26 in Mountain Bike
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