13798512084
取消

FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

零件编号 FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
产品分类 FET、MOSFET 阵列
制造商 IR (Infineon Technologies)
描述 SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
封装
包装 托盘
数量 19
RoHS 状态 YES
分享
库存:
总数

数量

价格

总价

1

$309.0150

$309.0150

24

$289.4325

$6,946.3800

获取报价信息
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商IR (Infineon Technologies)
系列CoolSiC™
包装托盘
产品状态ACTIVE
包装/箱Module
安装类型Chassis Mount
配置2 N-Channel (Dual)
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
技术Silicon Carbide (SiC)
漏源电压 (Vdss)1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C150A (Tj)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds16000pF @ 600V
Rds On(最大)@Id、Vgs9.8mOhm @ 150A, 15V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs450nC @ 15V
Vgs(th)(最大值)@Id5.55V @ 90mA
供应商设备包AG-EASY1BM-2

SCHURTER
FMAB NEO FILTER 1PH 1S 30A 250VA
II-VI (Coherent)
XCVR,QSFP28, 10KM,100GBASE-LR4,4
IR (Infineon Technologies)
IGBT TRENCH FS 1200V 212A TO247
Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
IR (Infineon Technologies)
MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO220-5
IR (Infineon Technologies)
IGBT MOD 1700V 1500A AGPRIME3+-5
ROHM Semiconductor
IGBT TRNCH FIELD 650V 23A TO3PFM
NTE Electronics, Inc
MOSFET 2N-CH 900V 7A TO220
ROHM Semiconductor
IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
IR (Infineon Technologies)
IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
关闭
Inquiry
captcha

13798512085

点击这里给我发消息 点击这里给我发消息
0