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FQI13N50CTU

零件编号 FQI13N50CTU
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Fairchild Semiconductor
描述 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
封装
包装 大部分
数量 16185
RoHS 状态 NO
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数量

价格

总价

211

$1.4910

$314.6010

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Fairchild Semiconductor
系列QFET®
包装大部分
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C13A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs480mOhm @ 6.5A, 10V
功耗(最大)195W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4V @ 250µA
供应商设备包TO-262 (I2PAK)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±30V
漏源电压 (Vdss)500 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs56 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2055 pF @ 25 V

Sensata Pressure & Temperature Sensors & Switches
Sensata Technologies ATR11-D-Y-6
Interion By Global Industrial
DLX NON-ELC PARTITION, RACEWAY
STMicroelectronics
ACEPACK 2 POWER MODULE, FOURPACK
IR (Infineon Technologies)
Flex Power Modules
40-60VIN: 24VOUT: 1300W; ISOLATE
International Rectifier
AUIRLU3114Z - 20V-40V N-CHANNEL
Fairchild Semiconductor
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Fairchild Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A 8PQFN
Harris Corporation
N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
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