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FQI4N90TU

零件编号 FQI4N90TU
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Fairchild Semiconductor
描述 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
封装
包装 大部分
数量 1502
RoHS 状态 NO
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价格

总价

254

$1.2495

$317.3730

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产品参数
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类型描述
制造商Fairchild Semiconductor
系列QFET®
包装大部分
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C4.2A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs3.3Ohm @ 2.1A, 10V
功耗(最大)3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id5V @ 250µA
供应商设备包I2PAK (TO-262)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±30V
漏源电压 (Vdss)900 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs30 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1100 pF @ 25 V

ebm-papst Inc.
CENTRIFUGAL FAN
ATTEND Technology
POGO PIN MAGNET TYPE, MACHINE PI
SHENZHEN ANXINKE TECHNOLOGY
WIFI6 + BLE5.3 MODULE, BL618 CHI
Califia Lighting (Bivar)
IP67 RIGID LIGHT PIPE RT ANGLE
IR (Infineon Technologies)
TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Bantam Tools
TRUSS EXPERIMENT KIT
I.F. Engineering Corp. and CrossPoint Technologies
RF DIR COUPLER 4 Port 20dB
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