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GPI65007DF56

零件编号 GPI65007DF56
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 GaNPower
描述 GaNFET N-CH 650V 7A DFN5x6
封装
包装 卷带式 (TR)
数量 40
RoHS 状态 YES
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$3.6750

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产品参数
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类型描述
制造商GaNPower
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C7A
Vgs(th)(最大值)@Id1.5V @ 3.5mA
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)6V
Vgs(最大)+7.5V, -12V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs2.1 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds76.1 pF @ 400 V

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GaNPower
GaNFET N-CH 650V 7A DFN5x6
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