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GPI90007DF88

零件编号 GPI90007DF88
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 GaNPower
描述 GaNFET N-CH 900V 7A DFN8x8
封装
包装 卷带式 (TR)
数量 665
RoHS 状态 YES
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产品参数
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类型描述
制造商GaNPower
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-DFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C7A
Rds On(最大)@Id、Vgs225mOhm @ 1.4A, 6V
Vgs(th)(最大值)@Id1.2V @ 3.5mA
供应商设备包8-DFN (8x8)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)6V
Vgs(最大)+7.5V, -12V
漏源电压 (Vdss)900 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs2.1 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds60 pF @ 400 V

Qualcomm
QCA-6421-0-135BD-HR-01-0
AMI (Altran Magnetics)
DC CONTACTOR 400A 24VDC COIL
Linear Integrated Systems, Inc.
JFET N-CH 25V SOT23-3
Digiwave
DIGIWAVE 7 INCH TERMINATING SCRE
Viking Technology
MODULE RDRAM 576MB 1066MHZ
Knick Interface
SIGNAL CONDITIONER
GaNPower
GaNFET N-CH 900V 7A DFN8x8
Band Solutions, LLC
1/4"X14.25" CLAMP, COILED, EACH
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