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GT065P06D5

零件编号 GT065P06D5
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Goford Semiconductor
描述 MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
封装
包装 卷带式 (TR)
数量 3253
RoHS 状态 YES
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总数

数量

价格

总价

1

$1.5645

$1.5645

10

$1.3020

$13.0200

100

$1.0290

$102.9000

500

$0.8715

$435.7500

1000

$0.7455

$745.5000

2000

$0.7035

$1,407.0000

5000

$0.6825

$3,412.5000

10000

$0.6615

$6,615.0000

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerTDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C103A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs7mOhm @ 20A, 10V
功耗(最大)178W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 250µA
供应商设备包8-DFN (4.9x5.75)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)60 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs62 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds5326 pF @ 30 V

Goford Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Linear Integrated Systems, Inc.
JFET P-CH 30V TO92
Solid State Inc.
DO5 50 WATT ZENER DIODES
UnitedSiC (Qorvo)
750V/44MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Bright Toward Industrial
210V/1A VERTICAL PACKAGE REED RE
Sanyo Denki SanMotion Products
PB, PB, CABLE, 3M, , , ENCODER E
Lin Engineering
Century Spring Corp.
COMP O= .125,L= 1.38,W= .010
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